功率驱动器模块 NFAM2012L5BT

制造商编号：NFAM2012L5BT

制造商： ON Semiconductor

制造商: ON Semiconductor

产品种类: 门驱动器

RoHS: 详细信息

产品: IGBT, MOSFET Gate Drivers

类型: High Side

安装风格: Through Hole

封装 / 箱体: DIP-39

激励器数量: 6 Driver

输出端数量: 6 Output

输出电流: 2 mA

电源电压-最小: 600 V

电源电压-最大: 800 V

配置: Inverting

上升时间: -

下降时间: -

最小工作温度: - 40 C

最大工作温度: + 150 C

封装: Tube

技术: Si

商标: ON Semiconductor

传播延迟—最大值: -

关闭: No Shutdown

最大关闭延迟时间: 2.8 us

最大开启延迟时间: 2.1 us

Pd-功率耗散: 125 W

产品类型: Gate Drivers

工厂包装数量: 90

子类别: PMIC - Power Management ICs

功率驱动器模块 NFAM2012L5BT

ON Semiconductor 介绍：

ON Semiconductor致力于推动高能效创新，帮助客户减少全球能源消耗。该公司是一家领先的半导体解决方案供应商，其提供的全面产品组合包括高能效电源管理、模拟、传感器、逻辑、计时、连接、分立、SoC以及定制器件。该公司的产品可助力工程师能够在以下领域应对其独特的设计挑战：汽车、通信、计算、消费电子、工业、医疗、航空航天与国防等应用。安森美半导体拥有全球一流、响应迅速的可靠供应链和质量程序以及稳健的合规和道德程序，并在北美、欧洲和亚太地区的主要市场中形成了庞大的制造基地、销售办事处以及设计中心网络。

产品图：