MUN5311DW1T1G ON Semiconductor 预偏置

MUN5311DW1T1G  ON Semiconductor  预偏置

制造商   

ON Semiconductor

制造商零件编号   

MUN5311DW1T1G

MUN5311DW1T1G  ON Semiconductor  预偏置 

晶体管类型    1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）

电流 - 集电极 (Ic)（大值）   100mA

电压 - 集射极击穿（大值）  50V

电阻器 - 基极 (R1)     10 千欧

电阻器 - 发射极 (R2) 10 千欧

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（小值）   35 @ 5mA，10V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（大值）       250mV @ 300μA，10mA

电流 - 集电极截止（大值）  500nA

频率 - 跃迁  -

功率 - 大值     250mW

安装类型       表面贴装型

封装/外壳      6-TSSOP，SC-88，SOT-363

供应商器件封装    SC-88/SC70-6/SOT-363

MUN5311DW1T1G  ON Semiconductor  预偏置

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