MUN5311DW1T1G ON Semiconductor 预偏置

地区:广东 深圳
认证:

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MUN5311DW1T1G  ON Semiconductor  预偏置

制造商   

ON Semiconductor

制造商零件编号   

MUN5311DW1T1G

MUN5311DW1T1G  ON Semiconductor  预偏置 

晶体管类型    1 NPN1 PNP - 预偏压式(双)

电流 - 集电极 (Ic)(大值)   100mA

电压 - 集射极击穿(大值)  50V

电阻器 - 基极 (R1)     10 千欧

电阻器 - 发射极 (R2) 10 千欧

不同 IcVce DC 电流增益 (hFE)(小值)   35 @ 5mA10V

不同 IbIc Vce 饱和压降(大值)       250mV @ 300μA10mA

电流 - 集电极截止(大值)  500nA

频率 - 跃迁  -

功率 - 大值     250mW

安装类型       表面贴装型

封装/外壳      6-TSSOPSC-88SOT-363

供应商器件封装    SC-88/SC70-6/SOT-363

MUN5311DW1T1G  ON Semiconductor  预偏置

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型号/规格

MUN5311DW1T1G

品牌/商标

ON Semiconductor

封装

6-TSSOP

批号

2020+

功率 - 最大值

250mW