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产品属性
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SMUN5312DW1T1G ON Semiconductor
制造商
ON Semiconductor
制造商零件编号
SMUN5312DW1T1G
SMUN5312DW1T1G ON Semiconductor
晶体管类型 1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
电流 - 集电极 (Ic)(大值) 100mA
电压 - 集射极击穿(大值) 50V
电阻器 - 基极 (R1) 22 千欧
电阻器 - 发射极 (R2) 22 千欧
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(小值) 60 @ 5mA,10V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(大值) 250mV @ 300μA,10mA
电流 - 集电极截止(大值) 500nA
频率 - 跃迁 -
功率 - 大值 187mW
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商器件封装 SC-88/SC70-6/SOT-363
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SMUN5312DW1T1G
ON Semiconductor
6-TSSOP
2020+