STW19NM65N STMicroelectronics

STW19NM65N  STMicroelectronics 

制造商   

STMicroelectronics

制造商零件编号   

STW19NM65N

STW19NM65N  STMicroelectronics 

FET 类型       N 通道

技术       MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）       650V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)    15.5A（Tc）

驱动电压（大 Rds On，小 Rds On）      10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（大值）      270 毫欧 @ 7.75A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（大值）  4V @ 250μA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（大值）    55nC @ 10V

Vgs（大值）     ±25V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（大值）  1900pF @ 50V

FET 功能       -

功率耗散（大值）    150W（Tc）

工作温度       150°C（TJ）

安装类型       通孔

供应商器件封装    TO-247-3

封装/外壳      TO-247-3

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