SSM6K202FE,LF Toshiba 单个

SSM6K202FE,LF  Toshiba  单个

制造商   

Toshiba Semiconductor and Storage

制造商零件编号   

SSM6K202FE,LF

 SSM6K202FE,LF  Toshiba  单个

FET 类型       N 通道

技术       MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）       30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)    2.3A（Ta）

驱动电压（大 Rds On，小 Rds On）      1.8V，4V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（大值）      85 毫欧 @ 1.5A，4V

不同 Id 时 Vgs(th)（大值）  1V @ 1mA

Vgs（大值）     ±12V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（大值）  270pF @ 10V

FET 功能       -

功率耗散（大值）    500mW（Ta）

工作温度       150°C（TJ）

安装类型       表面贴装型

供应商器件封装    ES6（1.6x1.6）

封装/外壳      SOT-563，SOT-666

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