IRFR5305TRPBF Infineon 单个

地区:广东 深圳
认证:

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IRFR5305TRPBF  Infineon   单个

制造商   

Infineon Technologies

制造商零件编号   

IRFR5305TRPBF

 IRFR5305TRPBF  Infineon   单个

FET 类型       P 通道

技术       MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss       55V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)    31ATc

驱动电压(大 Rds On,最小 Rds On      10V

不同 IdVgs 时导通电阻(大值)      65 毫欧 @ 16A10V

不同 Id Vgs(th)(大值)  4V @ 250μA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(大值)    63nC @ 10V

Vgs(大值)     ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(大值)  1200pF @ 25V

FET 功能       -

功率耗散(大值)    110WTc

工作温度       -55°C ~ 175°CTJ

安装类型       表面贴装型

供应商器件封装    D-Pak

封装/外壳      TO-252-3DPak2 引线 + 接片),SC-63

IRFR5305TRPBF  Infineon   单个

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型号/规格

IRFR5305TRPBF

品牌/商标

Infineon

封装

TO-252-3

批号

2020+

最小工作温度

-55°C

最大工作温度

175°C