晶体管 - FET BSC060N10NS3GATMA1 Infineon

晶体管 - FET BSC060N10NS3GATMA1 Infineon

一般信息

数据列表       BSC060N10NS3 G;

标准包装      5,000

包装      标准卷带 

零件状态       有源

类别       分立半导体产品

产品族    晶体管 - FET，MOSFET - 单个

系列       OptiMOS™

其它名称       BSC060N10NS3 G

BSC060N10NS3 G-ND

BSC060N10NS3 GTR

BSC060N10NS3 GTR-ND

BSC060N10NS3G

BSC060N10NS3GATMA1TR

SP000446584

晶体管 - FET BSC060N10NS3GATMA1 Infineon

规格

FET 类型       N 通道

技术       MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）       100V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)    14.9A（Ta），90A（Tc）

驱动电压（大 Rds On，小 Rds On）      6V，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（大值）  3.5V @ 90μA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（大值）    68nC @ 10V

Vgs（大值）     ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（大值）  4900pF @ 50V

FET 功能       -

功率耗散（大值）    125W（Tc）

工作温度       -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型       表面贴装型

封装/外壳      8-PowerTDFN

晶体管 - FET BSC060N10NS3GATMA1 Infineon

公司简介：

深圳昴泽公司所销售产品涉及世界各名厂IC,:INFINEON(英飞凌)，XILINX、LINEAR、ALTERA(阿特拉 )、ATMEL(爱特梅尔)、STC单片机、英特尔(Intel) 、德州仪器(TI)、飞利浦(Philip）、海力士(Hynix)、MITSUBISHI (三菱)、美国仿真器件(ADI)、国际整流器(IR)、台湾硅成(ICSI)、三星(Samsung)、瑞萨(Renesas)、东芝(Toshiba)、意法(ST)、摩托罗拉(Motorola)、仙童(Fairchid)、美国美商半导体(AMD)、爱特梅尔(Atmel）、安捷伦。 深圳昴泽为了更好的服务于客户，提供一站式配套服务！欢迎垂询~