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产品属性
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单个 Vishay IRF730ASPBF
制造商
Vishay Siliconix
制造商零件编号
IRF730ASPBF
单个 Vishay IRF730ASPBF
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 400V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 5.5A(Tc)
驱动电压(大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(大值) 1 欧姆 @ 3.3A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(大值) 4.5V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(大值) 22nC @ 10V
Vgs(大值) ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(大值) 600pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散(大值) 74W(Tc)
工作温度 -55°C
~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 D2PAK
封装/外壳 TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
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IRF730ASPBF
Vishay
TO-263-3
2020+
-55°C
150°C