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产品属性
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单个 ON Semiconductor NTMFS4C08NT1G
制造商
ON Semiconductor
制造商零件编号
NTMFS4C08NT1G
单个 ON Semiconductor NTMFS4C08NT1G
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 9A(Ta),52A(Tc)
驱动电压(大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(大值) 5.8 毫欧 @ 18A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(大值) 2.1V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(大值) 18.2nC @ 10V
Vgs(大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(大值) 1113pF @ 15V
FET 功能 -
功率耗散(大值) 760mW(Ta)
工作温度 -55°C
~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
封装/外壳 8-PowerTDFN
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NTMFS4C08NT1G
ON Semiconductor
8-PowerTDFN
2020+
-55°C
150°C