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产品属性
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IRFP7530PBF Infineon 单个
制造商
Infineon Technologies
制造商零件编号
IRFP7530PBF
IRFP7530PBF Infineon 单个
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 195A(Tc)
驱动电压(大 Rds On,最小 Rds On) 6V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(大值) 2 毫欧 @ 100A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(大值) 3.7V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(大值) 411nC @ 10V
Vgs(大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(大值) 13703pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散(大值) 341W(Tc)
工作温度 -55°C
~ 175°C(TJ)
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-247
封装/外壳 TO-247-3
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IRFP7530PBF
Infineon
TO-247-3
2020+
-55°C
175°C