BSC028N06NSATMA1 Infineon 单个

地区:广东 深圳
认证:

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BSC028N06NSATMA1  Infineon 单个

制造商   

Infineon Technologies

制造商零件编号   

BSC028N06NSATMA1

 BSC028N06NSATMA1  Infineon 单个

FET 类型       N 通道

技术       MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss       60V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)    23ATa),100ATc

驱动电压(大 Rds On,最小 Rds On      6V10V

不同 IdVgs 时导通电阻(大值)      2.8 毫欧 @ 50A10V

不同 Id Vgs(th)(大值)  2.8V @ 50μA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(大值)    37nC @ 10V

Vgs(大值)     ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(大值)  2700pF @ 30V

FET 功能       -

功率耗散(大值)    2.5WTa),83WTc

工作温度       -55°C ~ 150°CTJ

安装类型       表面贴装型

供应商器件封装    PG-TDSON-8-7

封装/外壳      8-PowerTDFN

BSC028N06NSATMA1  Infineon 单个

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型号/规格

BSC028N06NSATMA1

品牌/商标

Infineon

封装

8-PowerTDFN

批号

2020+

最小工作温度

-55°C

最大工作温度

150°C