Diodes DMP1055UFDB-7 阵列

地区:广东 深圳
认证:

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Diodes  DMP1055UFDB-7  阵列

制造商   

Diodes Incorporated

制造商零件编号   

DMP1055UFDB-7

 Diodes  DMP1055UFDB-7  阵列

FET 类型       2 P 沟道(双)

FET 功能       标准

漏源电压(Vdss       12V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)    3.9A

不同 IdVgs 时导通电阻(大值)      59 毫欧 @ 3.6A4.5V

不同 Id Vgs(th)(大值)  1V @ 250μA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(大值)    20.8nC @ 8V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(大值)  1028pF @ 6V

功率 - 大值     1.36W

工作温度       -55°C ~ 150°CTJ

安装类型       表面贴装型

封装/外壳      6-UDFN 裸露焊盘

供应商器件封装    U-DFN2020-6B 类)

Diodes  DMP1055UFDB-7  阵列

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型号/规格

DMP1055UFDB-7

品牌/商标

Diodes

封装

U-DFN2020-6(B 类)

批号

2020+

最小工作温度

-55°C

最大工作温度

150°C