SI9945BDY-T1-GE3 Vishay 阵列

地区:广东 深圳
认证:

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SI9945BDY-T1-GE3  Vishay  阵列

制造商   

Vishay Siliconix

制造商零件编号   

SI9945BDY-T1-GE3

 SI9945BDY-T1-GE3  Vishay  阵列

FET 类型       2 N-通道(双)

FET 功能       逻辑电平门

漏源电压(Vdss       60V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)    5.3A

不同 IdVgs 时导通电阻(大值)      58 毫欧 @ 4.3A10V

不同 Id Vgs(th)(大值)  3V @ 250μA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(大值)    20nC @ 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(大值)  665pF @ 15V

功率 -大值     3.1W

工作温度       -55°C ~ 150°CTJ

安装类型       表面贴装型

封装/外壳      8-SOIC0.154"3.90mm 宽)

供应商器件封装    8-SO

SI9945BDY-T1-GE3  Vishay  阵列

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型号/规格

SI9945BDY-T1-GE3

品牌/商标

Vishay

封装

8-SOIC

批号

2020+

最小工作温度

-55°C

最大工作温度

150°C