RN2910FE,LF(CT 阵列 - 预偏置

RN2910FE,LF(CT   阵列 - 预偏置

制造商   

Toshiba Semiconductor and Storage

制造商零件编号   

RN2910FE,LF(CT

 RN2910FE,LF(CT   阵列 - 预偏置

晶体管类型    2 个 PNP 预偏压式（双）

电流 - 集电极 (Ic)（大值）   100mA

电压 - 集射极击穿（大值）  50V

电阻器 - 基极 (R1)     4.7 千欧

电阻器 - 发射极 (R2) -

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）   120 @ 1mA，5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（大值）       300mV @ 250μA，5mA

电流 - 集电极截止（大值）  100nA（ICBO）

频率 - 跃迁  200MHz

功率 - 大值     100mW

安装类型       表面贴装型

封装/外壳      SOT-563，SOT-666

供应商器件封装    ES6

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