FP40R12KT3产品:IGBT Silicon Modules 配置:Hex 集电极—发射极电压 VCEO:1200 V 在25 C的连续集电极电流:55 A 封装 / 箱体:Econo 2 最小工作温度:- 40 C 工作温度:+ 125 C 封装:Tray 高度:17 mm 长度:107.5 mm 技术:Si 宽度:45 mm 商标:Infineon Technologies 安装风格:Chassis Mount 栅极/发射极电压:20 V 产品类型:IGBT Modules 工厂包装数量:10 子类别:IGBTs 零件号别名:FP40R12KT3BOSA1 SP000100447 FP40R12KT3BOSA1 单位重量:180 g
