TPS1101DR TI 原厂原装

产品型号：TPS1101DR

产品参数：

标准包装   2,500

包装   标准卷带

零件状态 有源

类别 分立半导体产品

产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单个

系列 -

其它名称 TPS1101DRG4

TPS1101DRG4-ND

规格

FET 类型 P 通道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 15V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 2.3A（Ta）

驱动电压（最D Rds On，最小 Rds On） 2.7V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最D值） 90 毫欧 @ 2.5A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最D值） 1.5V @ 250μA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最D值） 11.25nC @ 10V

Vgs（最D值） +2V，-15V

FET 功能 -

功率耗散（最D值） 791mW（Ta）

工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）

安装类型 表面贴装型

供应商器件封装 8-SOIC

封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

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