W25Q256FVEIG集成电路

型号；W25Q256FVEIG                       厂商；WINBOND

封装；SOP                                        包装说明；WSON-8

风险等级；7.94                                  最大时钟频率；80 MHz

耐久性；100000 Write/Erase Cycles      JESD-30 代码；R-PDSO-N8

长度；8mm                                       工作模式；SYNCHRONOUS

最高工作温度；85度                            工作温度；-40度

组织；256MX1                                   封装主体材料；PLASTIC/EPOXY

封装代码；HVSON                               封装等效代码；SOLCC8,3

封装形状；RECTANGULAR                   电源；3/3.3V

编程电压；3V                                     座面最大高度；0.8mm

最大待机电流；0.000025A                  子类别；Flash Memories

最大压摆率；0.025mA                        最大供电电压；3.6v

最小供电电压；2.7v                           标称供电电压；3v

技术；CMOS                                      温度等级；INDUSTRIAL

端子形式；NO LEAD                           端子节距；1.27mm

端子位置；DUAL                                类型；NOR TYPE

宽度；6mm