动态随机存取存储器：MT47H32M16HR-25E:G

动态随机存取存储器：MT47H32M16HR-25E:G
制造商:Micron
产品种类:动态随机存取存储器
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:BGA
最大供电电压 (Vsup)：1.9 V
最小供电电压 (Vsup)：1.7 V
标称供电电压 (Vsup)：1.8 V
长度：12.5 mm
宽度：8mm

动态随机存取存储器：MT47H32M16HR-25E:G特征：
•VDD = 1.8V±0.1V，VDDQ = 1.8V±0.1V
•JEDEC标准的1.8V I / O（与SSTL_18兼容）
•差分数据选通（DQS，DQS＃）选项
•4n位预取架构
•x8的重复输出选通（RDQS）选项
•DLL使DQ和DQS过渡与CK对齐
•4个内部银行可同时运行
•可编程CAS延迟（CL）
•发布的CAS附加延迟（AL）
•写延迟=读延迟-1 tCK
•可选的突发长度：4或8
•可调的数据输出驱动强度
•64毫秒，8192周期刷新
•片上终止（ODT）
•工业温度（IT）选件
•符合RoHS

•支持JEDEC时钟抖动规范

动态随机存取存储器：MT47H32M16HR-25E:G选项:

•配置
– 128 Meg x 4（32 Meg x 4 x 4组）128M4
– 64 Meg x 8（16 Meg x 8 x 4组）64M8
– 32 Meg x 16（8 Meg x 16 x 4组）32M16
•FBGA封装（无铅）– x16
– 84球FBGA（8mm x 12.5mm）Rev. G HR
– 84球FBGA（8mm x 12.5mm）Rev. H NF

动态随机存取存储器：编址：

动态随机存取存储器：512Mb DDR2部件号：

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型号/规格

MT47H32M16HR-25E:G

品牌/商标

Micron

封装

DDR

批号

19+

安装风格

SMD/SMT