NAND闪存：MT29F32G08AFABAWP-IT:B

NAND闪存：MT29F32G08AFABAWP-IT:B
产品种类:NAND闪存
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:TSOP-148
长度：18.4 mm
最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：3.3 V

NAND闪存：MT29F32G08AFABAWP-IT:B特征：
•兼容开放式NAND闪存接口（ONFI）2.2
•单层电池（SLC）技术
•组织
–页面大小x8：4320字节（4096 + 224字节）
–块大小：128页（512K + 28K字节）
–飞机尺寸：2飞机x每飞机2048块
–设备大小：16Gb：4096个块；
32Gb：8192块； 64Gb：16,384个块
•同步I / O性能
–高达同步定时模式5
–时钟频率：10ns（DDR）
–每个引脚的读取/写入吞吐量：200 MT / s
•异步I / O性能
–高达异步计时模式5
–tRC / tWC：20ns（最小）
•阵列性能
–阅读页：35μs（MAX）
–程序页面：350μs（TYP）
–擦除块：1.5ms（TYP）
•工作电压范围
– VCC：2.7–3.6V
– VCCQ：1.7-1.95V，2.7–3.6V
•命令集：ONFI NAND闪存协议
•高级命令集
–程序缓存
–顺序读取缓存
–随机读取缓存
–一次性可编程（OTP）模式
–多平面命令
–多LUN操作
–读取唯一ID
–复制
•开机后第一个命令要求RESET（FFh）
•操作状态字节提供检测软件的方法
–操作完成
–通过/失败条件
–写保护状态

NAND闪存：零件编号：     
                          

设备和阵列组织：