NAND闪存：MT29F256G08AUCABH3-10ITZ:A

NAND闪存：MT29F256G08AUCABH3-10ITZ:A
制造商:Micron Technology
产品种类:NAND闪存
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:BGA

NAND闪存：MT29F256G08AUCABH3-10ITZ:A特征：
•兼容开放式NAND闪存接口（ONFI）2.2
•单层电池（SLC）技术
•组织
–页面大小x8：8640字节（8192 + 448字节）
–块大小：128页（1024K + 56K字节）
–飞机尺寸：2飞机x每飞机2048块
–设备大小：32Gb：4096个块；
64Gb：8192块;
128Gb：16,384块;
256Gb：32,768个块
•同步I / O性能
–高达同步定时模式5
–时钟频率：10ns（DDR）
–每个引脚的读取/写入吞吐量：200 MT / s
•阵列性能
–阅读页：35μs（MAX）
–程序页面：350μs（TYP）
–擦除块：1.5ms（TYP）
•工作电压范围
– VCC：2.7–3.6V
– VCCQ：1.7–1.95V，2.7–3.6V
•命令集：ONFI NAND闪存协议
•高级命令集
–程序缓存
–顺序读取缓存
–随机读取缓存
–一次性可编程（OTP）模式
–多平面命令
–多LUN操作
–读取唯一ID
–复制

MT29F256G08AUCABH3-10ITZ:A异步和同步信号定义：

MT29F256G08AUCABH3-10ITZ:A：引脚48引脚TSOP：

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型号/规格

MT29F256G08AUCABH3-10ITZ:A

品牌/商标

Micron

封装

BGA

批号

19+

安装风格

SMD/SMT