NAND闪存：K9K8G08U0A-PIB0

NAND闪存：K9K8G08U0A-PIB0
制造商：SAMSUNG
内存集成电路类型：FLASH
封装：TSSOP
电源：3/3.3 V
编程电压：2.7 V
座面最大高度：1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：3.3 V

NAND闪存：K9K8G08U0A-PIB0功能特征：
•电压供应
-2.70V〜3.60V
•组织
-存储单元阵列：（1G + 32M）x 8位
-数据寄存器：（2K + 64）x 8位
•自动编程和擦除
-页面程序：（2K + 64）Byte
-块擦除：（128K + 4K）Byte
•页面读取操作
-页面大小：（2K + 64）Byte
-随机读取：25μs（最大值）
-串行访问：25ns（最小）
* K9NBG08U5A：50ns（最小）
1G x 8位/ 2G x 8位/ 4G x 8位NAND闪存
•快速的写入周期时间
-页面编程时间：200μs（典型值）
-块擦除时间：1.5ms（Typ。）
•命令/地址/数据多路复用I / O端口
•硬件数据保护
-电源转换期间的编程/擦除锁定
•可靠的CMOS浮栅技术
-耐久性：100K编程/擦除周期（具有1bit / 512ByteECC）
-资料保留时间：10年
•命令驱动操作
•具有内部1bit / 528Byte EDC的智能回写
•版权保护的唯一ID
•包装：
-K9K8G08U0A-PCB0 / PIB0
48-TSOP I引脚（12 x 20 / 0.5 mm间距）
-K9WAG08U1A-PCB0 / PIB0
48-TSOP I引脚（12 x 20 / 0.5 mm间距）
-K9WAG08U1A-ICB0 / IIB0
52-TLGA引脚（12 x 17 / 1.0 mm间距）
-K9NBG08U5A-PCB0 / PIB0
48-TSOP I引脚（12 x 20 / 0.5 mm间距）

NAND闪存：产品列表：

NAND闪存：推荐工作条件：

安富利（深圳）商贸有限公司是一家大型代理渠道商，经营世界各国名牌厂家的集成电路及其它电子元件代理品牌：Super Semi（超致）、赛普微、奥伦德、RUNIC（润石）、Honeywell（霍尼韦尔），分销品牌：TI（德州仪器）、ST（意法半导体）、ADI（亚德诺半导体）、INFINEON（英飞凌）、IR（国际整流器）、ON（安森美）、MPS（芯源半导体）等等，Strong Product Line：DSP、MCU、FPGA、SENSOR、OPA、TPS、LOGIC、MOS、PWM、AD-DC、DC-DC等等。多年来，公司专注于电源行业、LED照明、路灯电源、防水电源、UPS逆变器、PC POWER、电动工具、矿机、消费电子。坚持为客户负责，为员工着想的经营之道，不断进行业务创新，提高销售业绩，为成为分销行业基业长青的卓越企业进行始终如一的努力！产品广泛应用于通讯、仪器、音频视频显示、数据采集、网络、ARM开发等领域，在电力系统产品、程控交换器、通讯设备解码器、税控设备、数控设备和工控设备等领域有着丰富的配套经验。

型号/规格

K9K8G08U0A-PIB0

品牌/商标

SAMSUNG

封装

TSSOP

批号

19+

安装风格

SMD/SMT