NAND闪存：K9LBG08U0D-PIB0
制造商：SAMSUNG
内存集成电路类型：FLASH
长度：18.4毫米
封装 / 箱体:TSOP1-48
最高工作温度:85 °C
工作温度:-40 °C
最大电源电压（Vsup）：3.6 V
最小电源电压（Vsup）：2.7 V
标称电源电压（Vsup）：3.3 V
端子节距：0.5 mm
宽度：12.4毫米
封装形式：小外形，薄型
温度等级：工业
编程电压：3.3 V
座面最大高度：1.2毫米
封装主体材料：PLASTIC / EPOXY
NAND闪存：K9LBG08U0D-PIB0功能特征：
•电源电压：2.7 V〜3.6 V
•组织
-存储单元阵列：（2G + 64M）x 8位
-数据寄存器：（4K + 128）x 8位
•自动编程和擦除
-页面程序：（4K + 128）Byte
-块擦除：（512K + 16K）Byte
•页面读取操作
-页面大小：（4K + 128）Byte
-随机读取：60μs（最大）
-串行访问：25ns（最小）
* K9XDG08U5M：50ns（最小）
•存储器单元：2bit /存储器单元
•快速的写入周期时间
-编程时间：800μs（典型值）
-块擦除时间：1.5ms（Typ。）
•命令/地址/数据多路复用I / O端口
•硬件数据保护
-电源转换期间的编程/擦除锁定
NAND闪存：功能框图：
NAND闪存：绝对最大额定值：
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