IRFP260NPBF场效应管

IRFP260NPBF概述

IRFP260NPBF是采用TO-247AC封装的200V单N沟道HEXFET功率MOSFET。该MOSFET具有极低的每硅面积电阻，动态dv/dt额定值，并联，坚固耐用，快速开关，简单的驱动要求以及完全雪崩额定值的特性，因此众所周知，功率MOSFET具有极高的效率和可靠性，可以可用于多种应用。

漏极至源极电压（Vds）为200V

栅极至源极电压为±20V

Vgs 10V时导通电阻Rds（on）为40mohm

25°C时300W的功耗Pd

Vgs 10V和25°C时50A的连续漏极电流Id

工作结温范围为-55°C至175°C

应用

电源管理,工业,便携式器材,消费电子产品

IRFP260NPBF中文参数

通道类型	N	晶体管配置	单
**连续漏极电流	50 A	**栅源电压	-20 V、+20 V
**漏源电压	200 V	每片芯片元件数目	1
封装类型	TO-247AC	**工作温度	-55 °C
安装类型	通孔	宽度	5.3mm
引脚数目	3	**工作温度	+175 °C
**漏源电阻值	40 mΩ	长度	15.9mm
通道模式	增强	高度	20.3mm
**栅阈值电压	4V	晶体管材料	Si
**栅阈值电压	2V	典型栅极电荷@Vgs	234 nC @ 10 V
**功率耗散	300 W	系列	HEXFET

型号/规格

IRFP260NPBF

品牌/商标

INFINEON（英飞凌）

环保类别

无铅环保型

封装

TO-247

批次

21+

分类

MOS管

供应IRFP260NPBF场效应管