现货供应AO3481C场效应管AOS万代

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 AO3481C中文资料规格参数

品名:场效应管(MOSFET)
类型:P沟道
漏源电压(Vdss):30V
连续漏极电流(Id):4.3A
功率(Pd):1.3W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):37mΩ@10V,4.3A
阈值电压(Vgs(th)@Id):1.7V@250μA
栅极电荷(Qg@Vgs):6nC@10V
输入电容(Ciss@Vds):720pF@15V
反向传输电容(Crss@Vds):70pF@15V
工作温度:-55℃~+150℃@(Tj)

封装: SOT23-3
FET类型P: Channel
Pd-功率耗散(Max): 1.3W
符合标准

RoHS标准RoHS Compliant


AO3481C描述:
•沟槽功率MOSFET技术30V
•低RDS(上)
•门电荷低
•RoHS和无卤素兼容


场效应管测定方法:

一、若读数仍为较大值,黑表笔不动,改用红表笔接触G,碰一下之后立即回到原脚,此时若读数为0Ω,则黑表笔接的是S极、红表笔为D极,用红表笔接触G极有效,该MOS管为P沟道。

二、若读数由原来较大值变为0(0×10kΩ),则红表笔所接为S,黑表笔为D。用黑表笔接触G有效,使MOS管D、S间正反向电阻值均为0Ω,还可证明该管为N沟道。

三、漏极D、源极S及类型判定:用万用表 R ×10kΩ档测 D、S问正反向电阻,正向电阻约为0.2 ×10kΩ,反向电阻(5一∞)X100kΩ。在测反向电阻时,红表笔不动,黑表笔脱离引脚后,与G碰一下,然后回去再接原引脚,出现以上两种情况。

四、栅极G的测定:用万用表R×100 档,测任意两脚之间正反向电阻,若其中某次测得电阻为数百Ω),该两脚是D、S,第三脚为G。

型号/规格

AO3481C

品牌/商标

AOS

封装形式

SOT-23

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

卷带编带包装

功率特征

小功率