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瞬态电压抑制器二极管(也称为瞬态抑制二极管——TVS Diode)专门用于保护电子电路,以防受到 瞬变和过压的危害,例如:EFT(电气快速瞬变)以及ESD(静电放电)。瞬态抑制二极管是采用硅雪崩技术的器件,因其具有反应时间快(低钳位电压)、电容值较低和漏电流低等特点而被选用。
公司强势推出低容TVS系列 PESDUC9D5VU PESDUC9D5VB PESDUC9D12VU PESDWC9D3V3B PESDWC9D5VB PESDLC9D5VB PESDSC9D5VU PESDZC9D5VU PESDMC9D5VU PESDUC5D5VU PESDUC5D5VB PTVSUC3D3V3B PTVSUC3D5VB PTVSLC3D3V3B PTVSLC3D5VB PTVSLC3D8VB PTVSLC3D12VB PTVSLC3D24VB PTVSSC3D5VB
主要特性:
出色的ESD保护特性
极低容抗
超快的响应速度(<1ns)
低钳位电压
超低漏电流
IEC 61000-4-2,level 4 认证(> 15 kV 非接触放电, > 8 kV 接触放电)
HBM MIL-Std 883, class 3认证(> 4 kV)
PESDUC9D5VB
芯导
DFN1006
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
超大功率
超高频