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半导体放电管是一种类似于开关功能的半导体浪涌吸收元器件。当放电管在其击穿电压处开始导通,它将浪涌电压拉到一个通态低压。
特点:
精确的导通电压,快速的响应速度(小于1ns)、浪涌吸收能力强、电容值低、双向对称、可靠性高、能实现多路保护。
应用:
广泛应用在电子通讯及消费类电子产品、高速数据传输设备(T1/E1、XDSL、ISDN、HDSL、CATV、SLIC等)上.
下面我们就推荐一下P0720SB
1:半导体放电管P0720SB的参数:
封装:DO-214AA
最小击穿电压:65V
最大反向待机电压:88V
最大峰值脉冲电流:0.8A
最大反向漏电流10:μA
2:半导体放电管P0720SB的尺寸图:
3:半导体放电管的选型要点:
1、最大瞬间峰值电流IPP必须大于通讯设备标准的规定值。
2、转折电压VBO必须小于被保护电路所允许的最大瞬间峰值电压。
3、TSS处于导通状态时,所损耗的功率P应小于其额定功率Pcm,Pcm=KVT*IPP,其中K由短路电流的波形决定。对于指数波,方波,正弦波,三角波K值分别为1.00,1.4,2.2,2.8。
4、反向击穿电压Vp必须大于被保护电路的最大工作电压。如在POTS应用中,最大振铃电压(150V)的峰值电压(150*1.41=212.2V)和直流偏压峰值(56.6V)之和为268.8V,所以应选择Vp大于268.8V的器件。又如在ISDN应用中,最大DC电压(150V)和最大信号电压(3V)之和为153V,所以应选择Vp大于153V的器件。
5、若要使半导体放电管通过大的浪涌电流后自复位,器件的维持电流IH必须大于系统所能能提供的电流值。
4:常用规格型号(S:DO-214AA、E:TO-92、L:DO-15)
P0080EA、P0080EB、P0080EC、P0080SA、P0080SB、P0080SC 、
P0300EA、P0300EB、P0300EC、P0300SA、P0300SB、P0300SC、
P0640EA、P0640EB、P0640EC、P0640SA、P0640SB、P0640SC、
P0720EA、P0720EB、P0720EC、P0720SA、P0720SB、P0720SC
P0900EA、P0900EB、P0900EC、P0900SA、P0900SB、P0900SC 、
P1100EA、P1100EB、P1100EC、P1100SA、P1100SB、P1100SC
P1200EA、P1200EB、P1200EC、P1200SA、P1200SB、P1200SC、
P1300EA、P1300EB、P1300EC、P1300SA、P1300SB、P1300SC、
P1500EA、P1500EB、P1500EC、P1500SA、P1500SB、P1500SC、
P1800LA、P1800LB、P1800EA、P1800EB、P1800EC、P1800SA、P1800SB、P1800SC、
P2000LA、P2000LB、P2000EA、P2000EB、P2000EC、P2000SA、P2000SB、P2000SC、
P2300LA、P2300LB、P2300EA、P2300EB、P2300EC、P2300SA、P2300SB、P2300SC、
P2600LA、P2600LB、P2600EA、P2600EB、P2600EC、P2600SA、P2600SB、P2600SC、
P3100LA、P3100LB、P3100EA、P3100EB、P3100EC、P3100SA、P3100SB、P3100SC、
P3500LA、P3500LB、P3500EA、P3500EB、P3500EC、P3500SA、P3500SB、P3500SC、
P0720SB
CQS
65V
DO-214AA
2500