SI9926CDY-T1-E3 逻辑电平门芯片

类别：FET - 阵列
描述：MOSFET DUAL N-CH 20V 8A 8-SOIC
系列：TrenchFET?
制造商：Vishay Siliconix
FET型:2 个 N 沟道（双）
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压:（Vdss）20V
电流_连续漏极（Id）0a025000C：8A
开态Rds111zui大2220a0IdwwwwVgs0a025000C：18 毫欧 @ 8.3A，4.5V
Id时的Vgs（th）111zui大222:1.5V @ 250μA
闸电荷（Qg）0a0Vgs:33nC @ 10V
输入电容（Ciss）0a0Vds:1200pF @ 10V
功率_zui大:3.1W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商设备封装:8-SOIC N

包装:带卷 (TR)
SI9926CDY-T1-E3现货实拍：

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SI9926CDY-T1-E3现货实拍：

SI9926CDY-T1-E3   新韩泰原厂原包现货供应VISHAY/威世通系列产品。