IRF1405PBF N沟道 MOS管场效应管

类型

描述

选择 

制造商

Infineon Technologies

包装

管件

零件状态

在售

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）

55 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

169A（Tc）

驱动电压

10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻

5.3 毫欧 @ 101A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)

4V @ 250μA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)

260 nC @ 10 V

Vgs

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)

5480 pF @ 25 V

FET 功能

-

功率耗散

330W（Tc）

工作温度

-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型

通孔

供应商器件封装

TO-220AB

封装/外壳

TO-220-3