SIHP12N50C-E3晶体管FET

SIHP12N50C-E3   分立半导体产品   晶体管 FET  MOSFET  单 （百分百原装现货  优势供应）

制造商: Vishay

产品种类: MOSFET

RoHS:  无铅环保  

技术: Si

安装风格: Through Hole

封装 / 箱体: TO-220AB-3

通道数量: 1 Channel

晶体管极性: N-Channel

Vds-漏源极击穿电压: 500 V

Id-连续漏极电流: 12 A

Rds On-漏源导通电阻: 555 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压: 5 V

Vgs - 栅极-源极电压: 30 V

Qg-栅极电荷: 32 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 208 W

配置: Single

通道模式: Enhancement

封装: Tube

高度: 15.49 mm  

长度: 10.41 mm  

宽度: 4.7 mm  

商标: Vishay / Siliconix  

下降时间: 6 ns  

产品类型: MOSFET  

上升时间: 35 ns  

工厂包装数量: 50  

子类别: MOSFETs  

典型关闭延迟时间: 23 ns  

典型接通延迟时间: 18 ns  

单位重量: 6 g  

电子元器件配单专家，一站式配齐所有型号，欢迎咨询