原装现货SPP11N80C3

SPP11N80C3       MOSFET N-Ch 800V 11A TO220-3 CoolMOS C3 

制造商: Infineon

产品种类: MOSFET

RoHS:  无铅环保  

技术: Si

安装风格: Through Hole

封装 / 箱体: PG-TO-220-3

通道数量: 1 Channel

晶体管极性: N-Channel

Vds-漏源极击穿电压: 800 V

Id-连续漏极电流: 11 A

Rds On-漏源导通电阻: 450 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压: 2.1 V

Vgs - 栅极-源极电压: 10 V

Qg-栅极电荷: 64 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 156 W

配置: Single

通道模式: Enhancement

商标名: CoolMOS

封装: Tube

高度: 15.65 mm  

长度: 10 mm  

系列: CoolMOS C3  

晶体管类型: 1 N-Channel  

宽度: 4.4 mm  

商标: Infineon Technologies  

下降时间: 10 ns  

产品类型: MOSFET  

上升时间: 15 ns  

工厂包装数量: 500  

子类别: MOSFETs  

典型关闭延迟时间: 72 ns  

典型接通延迟时间: 25 ns  

零件号别名: SP000683158 SPP11N80C3XKSA1 SPP11N8C3XK  

单位重量: 6 g

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