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产品属性
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制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 无铅环保
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: PQFN-8
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 40 V
Id-连续漏极电流: 259 A
Rds On-漏源导通电阻: 1.1 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V
Qg-栅极电荷: 129 nC
Pd-功率耗散: 156 W
配置: Single
商标名: StrongIRFET
高度: 0.83 mm
长度: 6 mm
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 5 mm
商标: Infineon / IR
正向跨导 - 最小值: 117 S
下降时间: 49 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 51 ns
工厂包装数量: 4000
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 73 ns
典型接通延迟时间: 15 ns
零件号别名: SP001570954
单位重量: 33 mg
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IRFH7004TRPBF
INFINEON(英飞凌)
PQFN-8
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装