IRFH7004TRPBF 晶体管FET

地区:广东 深圳
认证:

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IRFH7004TRPBF   分立半导体产品   晶体管  FET  MOSFET  单

制造商: Infineon

产品种类: MOSFET

RoHS:  无铅环保  

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: PQFN-8

通道数量: 1 Channel

晶体管极性: N-Channel

Vds-漏源极击穿电压: 40 V

Id-连续漏极电流: 259 A

Rds On-漏源导通电阻: 1.1 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V

Qg-栅极电荷: 129 nC

Pd-功率耗散: 156 W

配置: Single

商标名: StrongIRFET

高度: 0.83 mm  

长度: 6 mm  

晶体管类型: 1 N-Channel  

宽度: 5 mm  

商标: Infineon / IR  

正向跨导 - 最小值: 117 S  

下降时间: 49 ns  

产品类型: MOSFET  

上升时间: 51 ns  

工厂包装数量: 4000  

子类别: MOSFETs  

典型关闭延迟时间: 73 ns  

典型接通延迟时间: 15 ns  

零件号别名: SP001570954  

单位重量: 33 mg  



提供电子元件配单服务,可支持小批量和样品,欢迎咨询!








型号/规格

IRFH7004TRPBF

品牌/商标

INFINEON(英飞凌)

封装形式

PQFN-8

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

卷带编带包装