SPW20N60C3晶体管FET

SPW20N60C3   分立半导体产品   晶体管  FET  MOSFET  单 （百分百原装现货  优势供应）

制造商: Infineon

产品种类: MOSFET

技术: Si

安装风格: Through Hole

封装 / 箱体: TO-247-3

通道数量: 1 Channel

晶体管极性: N-Channel

Vds-漏源极击穿电压: 600 V

Id-连续漏极电流: 20.7 A

Rds On-漏源导通电阻: 190 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压: 2.1 V

Vgs - 栅极-源极电压: 10 V

Qg-栅极电荷: 87 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 208 W

配置: Single

通道模式: Enhancement

商标名: CoolMOS

封装: Tube

高度: 21.1 mm  

长度: 16.13 mm  

系列: CoolMOS C3  

晶体管类型: 1 N-Channel  

宽度: 5.21 mm  

商标: Infineon Technologies  

下降时间: 4.5 ns  

产品类型: MOSFET  

上升时间: 5 ns  

工厂包装数量: 240  

子类别: MOSFETs  

典型关闭延迟时间: 67 ns  

典型接通延迟时间: 10 ns  

零件号别名: SP000013729 SPW20N60C3FKSA1 SPW2N6C3XK  

单位重量: 38 g  

提供电子元件配单服务，可支持小批量和样品，欢迎咨询！