IRGB4061DPBF晶体管UGBT

IRGB4061DPBF   分立半导体产品   晶体管  UGBT   MOSFET  单  （百分百原装现货  优势供应）

制造商: Infineon

产品种类: IGBT 晶体管

技术: Si

封装 / 箱体: TO-220AB-3

安装风格: Through Hole

配置: Single

集电极—发射极最大电压 VCEO: 600 V

集电极—射极饱和电压: 1.95 V

栅极/发射极最大电压: 20 V

在25 C的连续集电极电流: 36 A

Pd-功率耗散: 206 W

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 175 C

封装: Tube

集电极最大连续电流 Ic: 36 A  

高度: 16.51 mm  

长度: 10.67 mm  

宽度: 4.83 mm  

商标: Infineon Technologies  

产品类型: IGBT Transistors  

工厂包装数量: 1000  

子类别: IGBTs  

零件号别名: SP001536144  

单位重量: 6 g

提供电子元件配单服务，可支持小批量和样品，欢迎咨询！