IRG4PC50UPBF晶体管UGBT

IRG4PC50UPBF   分立半导体产品   晶体管  UGBT   MOSFET  单 （百分百原装现货  优势供应）

制造商: Infineon

产品种类: IGBT 晶体管

技术: Si

封装 / 箱体: TO-247-3

安装风格: Through Hole

配置: Single

集电极—发射极最大电压 VCEO: 600 V

集电极—射极饱和电压: 2 V

栅极/发射极最大电压: 20 V

在25 C的连续集电极电流: 55 A

Pd-功率耗散: 200 W

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

封装: Tube

集电极最大连续电流 Ic: 27 A  

高度: 20.7 mm (Max)  

长度: 15.87 mm (Max)  

宽度: 5.31 mm (Max)  

商标: Infineon Technologies  

栅极—射极漏泄电流: 100 nA  

产品类型: IGBT Transistors  

工厂包装数量: 400  

子类别: IGBTs  

零件号别名: SP001547878  

单位重量: 38 g  

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