PESD12VL2BT 静电保护二极管

地区:广东 深圳
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PESD12VL2BT 静电保护二极管

类别TVS - 二极管描述DIODE DUAL BI ESD PROT SOT23系列-制造商NXP Semiconductors电压_反向关态111典型值22212V电压_击穿14.2V功率(W)200W极化2 通道阵列 - 双向安装类型表面贴装封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3   /PESD12VL2BT 静电保护二极管

PESD12VL2BT 静电保护二极管

供应现货库存:


 BAT54CW

 ON

 18+

 SOT-323

 2SB709A

 PANASONIC

 18+

 SOT23

 BST50

 NXP/ON

 18+

 SOT-89

 MAX232ESE+T

 MAXIM

 18+

 SOP-16

 MAX232CSE+T

 MAXIM

 18+

 SOP-16

 ADM232AARN-REEL7

 ADM

 18+

 SOP16

 FM809MS3X

 FAIRCHILD

 18+

 SOT23-3

 MAX809STRG

 ON30K

 18+

 SOT23

 MIC809SUYR

 MICREL

 18+

 SOT23-3

 CAT809TEUR-T

 CATALYST

 18+

 SOT23

 AIC809-31PUTR

 AIC沞亨半/PB

 18+

 SOT23

 SE809-LF-2.63V

 SEI

 18+

 SOT23-3

 APX809-29SAG-7

 DIODES

 18+

 SOT23

 CAT809MTBI-GT3

 ON

 18+

 SOT23

 MCP809T-450I/TT

 MICROCHIP

 18+

 SOT23

 ADM809LARTZ-REEL7

 AD

 18+

 SOT23-3

 2SK2112

 NEC

 18+

 SOT-89

 2SK2111

 TOSHIBA

 18+

 SOT-89

 2SK2110

 NEC

 18+

 SOT-89

 BL1117-33CX

 BELLING

 18+

 SOT223

 LC6000

 LEADCHIP

 17+

 SOT23-5


PESD12VL2BT 静电保护二极管

型号/规格

PESD12VL2BT

品牌/商标

NXP(恩智浦)

封装形式

SOT-23

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

卷带编带包装

功率特性

大功率

频率特性

高频

整流电流

1

反向击穿电流

11