现货供应NCE30D2519 新洁能MOS场效应管

描述

NCE30D2519K采用先进的沟槽技术和设计，可提供出色的R DS（ON）和低栅极电荷。 它可用于各种应用。

一般特征

N频道

●VDS = 30V，I D = 25A

RDS（ON）<12m？ @ V GS = 10V

RDS（ON）<18m？ @ V GS = 4.5V

P频道

●V DS = -30V，I D = -19A

RDS（ON）<35m？ @ V GS = -10V

RDS（ON）<65m？ @ V GS = -4.5V

●高密度电池设计，适用于超低Rdson

●充分表征雪崩电压和电流

●高E AS具有良好的稳定性和均匀性

●优异的封装，散热好

●高ESD能力的特殊工艺技术

应用

●H桥

●变频器