英飞凌 IGBT芯片 IKW50N60H3 IKW50N60T 二极管

全新原装正品，假一赔十。

品牌：英飞凌 Infineon

型号 : IKW50N60H3 IKW50N60T

描述:

在TO-247封装中，与续流二极管共同封装的高速600伏、50安硬开关挖沟机IGBT3在开关损耗和传导损耗之间提供了最佳折衷。该系列的主要特点是像场效应晶体管一样的关断开关行为，导致低关断损耗。

特征描述:

高效率的低开关损耗

由于著名的英飞凌挖沟机技术，VCEsat表现出色

具有低电磁干扰发射的快速开关行为

针对目标应用的优化二极管，意味着开关损耗的进一步改善

可以选择低栅极电阻(低至5ω)，同时保持出色的开关性能

短路能力5 s

提供最高175℃的Tj温度

带续流二极管和不带续流二极管封装，增加设计自由度

优势:

低开关和传导损耗

非常好的电磁干扰行为

可与小栅极电阻配合使用，以减少延迟时间和电压过冲

高电流密度

一流的600伏IGBT效率和电磁干扰性能

 IKW50N60DTP

 IHW30N65R5

 IHW25N120R5

 IHW30N135R5

 IKD06N60RF

 IKCM15L60GA

 IRAM256-1567A2

 IPP023N08N5

 IPW65R110CFD

 SPW35N60C3

 IPP111N15N3G

 IPW65R080CFD

 SPW47N60C3

 IPP110N20N3G

 IPW65R041CFD

 SPW47N60CFD

 IPP320N20N3G

 IPW65R190CFD

 IPB107N20N3G

 IPP200N25N3G

 IPP075N15N3G

 SPW17N80C3

 SPP17N80C3

 IKW30N60H3

 IKW30N60T

  IKW40N60H3

  IKW40N65WR5

  IKW15N120T2

  IKW25N120T2

  IKW40N120T2

  IKW40N120H3

  IGCM06F60GA

  IKCM10H60GA

  IKCM30F60GA