原装现货STGWT60H65FB ST分立半导体产品

制造商

STMicroelectronics

制造商零件编号

STGWT60H65FB

数据列表 STGW(T)60H65FB;

标准包装   30

包装   管件  

零件状态 在售

类别 分立半导体产品

产品族 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单

系列 -

规格

IGBT 类型 沟槽型场截止

电压 - 集射极击穿（最大值） 650V

电流 - 集电极（Ic）（最大值） 80A

脉冲电流 - 集电极 (Icm) 240A

不同 Vge，Ic 时的 Vce（on） 2.3V @ 15V，60A

功率 - 最大值 375W

开关能量 1.09mJ（开），626μJ（关）

输入类型 标准

栅极电荷 306nC

25°C 时 Td（开/关）值 51ns/160ns

测试条件 400V，60A，5 欧姆，15V

工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型 通孔

封装/外壳 TO-3P-3，SC-65-3

供应商器件封装 TO-3P

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另外，OPPO子品牌Realme 3智能型手机则采用联发科P70芯片，目前该款手机已在印度市场开卖，市场反应佳。显然OPPO在各机种配备策略上，高阶机种采用高通处理器，低阶则由联发科负责，中阶机种则是高通与联发科平分，由于中、低阶机种销量大，有助于联发科稳住中国手机芯片市占率。