LM5050MK-1/NOPB高侧OR-ing FET控制器

特征：

提供标准和AEC-Q100

认证版本LM5050Q0MK-1（最高150°CT J）和LM5050Q1MK-1（最高125°CT J）

宽工作输入电压范围，V IN：1 V至75 V（V IN <5 V时需要V BIAS）

100V瞬态能力

用于外部N沟道MOSFET的电荷泵栅极驱动器

对电流反转的快速50 ns响应

2-A峰值栅极关断电流

最小V DS钳位，实现更快的关断

封装：SOT-6（薄SOT-23-6）

LM5050-1 / -Q1高边OR-ing FET控制器与外部MOSFET配合使用，与电源串联时作为理想的二极管整流器。该ORing控制器允许MOSFET取代配电网络中的二极管整流器，从而降低功率损耗和电压降。

LM5050-1 / -Q1控制器为外部N沟道MOSFET和快速响应比较器提供电荷泵栅极驱动，以在电流反向流动时关闭FET。LM5050-1 / -Q1可以连接5 V至75 V的电源，可承受高达100 V的瞬态电压。