供应SI2307CDS-T1-GE3 场效应管 威士

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供应SI2307CDS-T1-GE3 场效应管 威士 产品属性

制造商: Vishay
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-23-3
晶体管极性: P-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 30 V
Id-连续漏极电流: 3.5 A
Rds On-漏源导通电阻: 88 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, %2B 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V
Qg-栅极电荷: 4.1 nC
zui小工作温度: - 55 C
zui大工作温度: %2B 150 C
Pd-功率耗散: 1.8 W
通道模式: Enhancement
商标名: TrenchFET
系列: SI2
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: Vishay Semiconductors
配置: Single
下降时间: 7.7 ns
高度: 1.45 mm
长度: 2.9 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 13 ns
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 P-Channel
典型关闭延迟时间: 17 ns
典型接通延迟时间: 5.5 ns
宽度: 1.6 mm
零件号别名: SI2307CDS-T1-BE3 SI2307CDS-GE3
单位重量: 8 mg