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产品属性
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高压P沟道mos管
改动栅压可以改动沟道中的电子密度,从而改动沟道的电阻,这种MOS场效应晶体管称为P沟道增强型场效应晶体管。
P沟道MOS晶体管的空穴迁移率低,因而在MOS晶体管的几何尺寸和工作电压相等的情况下,PMOS晶体管的跨导小于N沟道MOS晶体管。
原理
正常工作时,P沟道增强型MOS管的衬底必需与源极相连,而漏心极的电压Vds应为负值,以保证两个P区与衬底之间的PN结均为反偏,同时为了在衬底顶表面左近构成导电沟道,栅极对源极的电压Vgs也应为负。
高压P沟道mos管
型号/规格:50P03
品牌/商标:JXVSEMI
封装形式:TO-252
环保类别:无铅环保型
安装方式:贴片式
包装方式:卷带编带包装
功率特征:大功率
公司介绍:
深圳市福启达科技有限公司是一家半导体IC及分立器件的民营高科技企业。公司主营二三极管,场效应MOS管,可控硅,LDO/ESD/TVS/供应商。可按照客户特殊要求订做,提供电子元器件配单BOM单配套服务!产品通过ISO9001:2000及ISO14001和SGS。产品广泛应用于数码产品-通讯产品-家用电器-玩具-节能灯-新能源等多个领域。公司本着始终满足客户需求,不懈追求客户满意的服务宗旨,积极倡导“开拓 创新 诚信 共赢”的企业发展理念。以诚信铸就品牌,以科技成就未来,以创新成就发展,努力为客户创造价值。
高压P沟道mos管
JXVSEMI
TO-252
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装