直流MOSFET场效应管

    型号/规格：12N10

    品牌/商标：  JXVSEMI

    封装形式： TO-252/TO-220

    环保类别： 无铅环保型

    安装方式： 贴片式和直插式

    包装方式：卷带编带和散装

    功率特征：大功率

   MOSFET场效应管主要参数

  场效应管的参数很多，包括直流参数、交流参数和极限参数，但一般使用时关注以下主要参数：

    1、IDSS—饱和漏源电流。是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中，栅极电压UGS=0时的漏源电流。

    2、UP—夹断电压。是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中，使漏源间刚截止时的栅极电压。

    3、UT—开启电压。是指增强型绝缘栅场效管中，使漏源间刚导通时的栅极电压。

    4、gM—跨导。是表示栅源电压UGS—对漏极电流ID的控制能力，即漏极电流ID变化量与栅源电压UGS变化量的比值。gM是衡量场效应管放大能力的重要参数。

    5、BUDS—漏源击穿电压。是指栅源电压UGS一定时，场效应管正常工作所能承受的  大漏源电压。这是一项极限参数，加在场效应管上的工作电压必须小于BUDS。

    6、PDSM—  大耗散功率。也是一项极限参数，是指场效应管性能不变坏时所允许的  大漏源耗散功率。使用时，场效应管实际功耗应小于PDSM并留有一定余量。

    7、IDSM—  大漏源电流。是一项极限参数，是指场效应管正常工作时，漏源间所允许通过的  大电流。场效应管的工作电流不应超过IDSM 。

公司介绍：

   深圳市福启达科技有限公司是一家半导体IC及分立器件的民营高科技企业。公司主营二三极管，场效应MOS管，可控硅，LDO/ESD/TVS/供应商。可按照客户特殊要求订做，提供电子元器件配单BOM单配套服务！产品通过ISO9001:2000及ISO14001和SGS。产品广泛应用于数码产品-通讯产品-家用电器-玩具-节能灯-新能源等多个领域。公司本着始终满足客户需求，不懈追求客户满意的服务宗旨，积极倡导“开拓 创新 诚信 共赢”的企业发展理念。以诚信铸就品牌，以科技成就未来，以创新成就发展，努力为客户创造价值。