ON/安森美 晶体管 HGTG11N120CND
地区:广东 深圳
认证:
无
图文详情
产品属性
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onsemi |
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IGBT 晶体管 |
Si |
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TO-247-3 |
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Through Hole |
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Single |
1200 V |
2.1 V |
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20 V |
43 A |
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298 W |
- 55 C |
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+ 150 C |
HGTG11N120CND |
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Tube |
集电极MAX连续电流 Ic: | 43 A |
高度: | 20.82 mm | |
长度: | 15.87 mm | |
宽度: | 4.82 mm | |
商标: | onsemi / Fairchild | |
集电极连续电流: | 55 A | |
栅极—射极漏泄电流: | +/- 250 nA | |
产品类型: | IGBT Transistors | |
工厂包装数量: | 450 | |
子类别: | IGBTs | |
零件号别名: | HGTG11N120CND_NL | |
单位重量: | 6.390 g |
ON/安森美
HGTG11N120CND
20+
N/A
10000