K4T1G164QF-BCF8存储卡芯片

K4T1G164QF-BCF8存储卡芯片主图

K4T1G164QF-BCF8存储卡芯片参数

制造商IC编号K4T1G164QF-BCF8

厂牌SAMSUNG/三星

ic 类别DDR2 SDRAM

IC代码64MX16 DDR2

脚位/封装fbga

外包装

无铅/环保无铅/环保

电压(伏)1.8 V

温度规格0°C + 85°C

速度1.875 NS@CL7

标准包装数量

标准外箱

潜在应用

单词量64m

一些组织乘16

密度1g

内部银行8银行

第七代

电源正常电源

K4T1G164QF-BCF8存储卡芯片相关信息

SJ1152-82部颁标准中压敏电阻器的型号命名分为四部分。

第一部分用字母 “M” 表示主称为敏感电阻器。

第二部分用字母 “Y” 表示敏感电阻器为压敏电阻器。

第三部分用字母表示压敏电阻器的用途的特征。

第四部分用数字表示序号，有的在序号的后面还标有标称电压、通流容量或电阻体直径、电压误差、标称电压等。

压敏电阻是一种以氧化锌为主要成份的金属氧化物半导体非线性电阻元件;电阻对电压较敏感，当电压达到一定数值时，电阻迅速导通。由于压敏电阻具有良好的非线特性、通流量大、残压水平低、动作快和无续流等特点。被广泛应用于电子设备防雷。

主要参数：

1、残压：压敏电阻在通过规定波形的大电流时其两端出现的最高峰值电压。

2、通流容量：按规定时间间隔与次数在压敏电阻上施加规定波形电流后，压敏电阻参考电压的变化率仍在规定范围内所能通过的最大电流幅值。

3、泄漏电流：在参考电压的作用下，压敏电阻中流过的电流。

4、额定工作电压：允许长期连续施加在压敏电阻两端的工频电压的有效值。而压敏电阻在吸收暂态过电压能量后自身温度升高，在此电压下能正常冷却，不会发热损坏。