MT41K512M16HA-125:A芯片原厂全新原装

MT41K512M16HA-125:A芯片原厂全新原装主图

MT41K512M16HA-125:A芯片原厂全新原装参数

制造商IC编号MT41K512M16HA-125:A

厂牌MICRON/美光

IC 类别DDR3LP SDRAM

IC代码512MX16 LPDDR3

脚位/封装FBGA-96

外包装TRAY

无铅/环保无铅/环保

电压(伏)1.35v

温度规格0°C to +85°C

速度1600 MT/s

标准包装数量1020

标准外箱

潜在应用EMBEDED COMPUTER/SBC/嵌入式計算機/ 系統基礎芯片OEM/ODM/TURNKEY/BUYING IC/组装代工廠/購買IC

MT41K512M16HA-125:A芯片原厂全新原装相关信息

据经济日报报道， 紫光集团DRAM 事业群CEO高启全日前返回中国台湾过中秋节时在采访中表示，紫光集团决定自主研发DRAM，且大基金和重庆产业基金都会投资，初期研发中心将设在武汉，等到研发有了成果才会在重庆设厂生产。

他强调，人才是最大的挑战。他透露公司正建立研发团队，希望五到十年能看到研发成果。但高启全不愿透露更多细节，包括新公司何时成立、研发阵容以及投资金额等。

同时，高启全表示，紫光集团未来投入DRAM领域，也会走先前开发储存型闪存（NAND Flash）的自主研发模式。只是投入DRAM领域，目前相关制程专利都掌控在三星、SK海力士和美光三大厂手中，紫光集团若要技术自主，就要投入更多的人力和时间。

对此，他也说，目前韩国和美国都不愿将技术授权给中国大陆厂商，而且中美贸易战还在浪头上，美光也不会和紫光结盟，因此中国要规避三大厂的专利，不是短时间可以达成的，得靠汇集更多优秀人才，希望五到十年能看到成果。

此前在8月底，紫光集团就宣布跟重庆市政府签署投资协议，在重庆建设DRAM事业群总部及内存芯片工厂，预计今年底动工，并规划2021年正式量产内存。

话句话说，尽管存储器是我国集成电路产业的“短板”，但现在国家正坚持大力推进这一重点领域。

对于紫光集团积极冲刺DRAM自主研发，也有消息人士透露，紫光集团内部已计划将在未来十年内投资8000亿元人民币，以加快DRAM量产。