MT41K256M16HA-125IT:E闪存存储阵列现货

MT41K256M16HA-125IT:E闪存存储阵列现货主图

MT41K256M16HA-125IT:E闪存存储阵列现货参数

制造商IC编号MT41K256M16HA-125IT:E

厂牌MICRON/美光

IC 类别DDR3LP SDRAM

IC代码256MX16 LPDDR3

脚位/封装FBGA-96

外包装TRAY

无铅/环保无铅/环保

电压(伏)1.35v

温度规格-40°~+85°C(IND)

速度1600 MT/s

标准包装数量1020

标准外箱

潜在应用OEM/ODM/TURNKEY/BUYING IC/组装代工廠/購買ICPC BOARD MANU./PCB板製造商VGA CARD MANU./顯卡製造商

MT41K256M16HA-125IT:E闪存存储阵列现货相关信息

2018 年下半年开始的存储器供过于求情况，加上后来的美中与日韩贸易摩擦冲击，使得存储器市场持续走跌的情况，日前似乎有回稳迹象。其中，在现货价之前首先止跌的状态下，厂商一直力图拉抬合约价也同时上涨。不过，在当前合约价尚未复苏，而且加上市场需求仍不明显的情况下，预计将使得现货价有回复下跌的走势，使得现货价与合约价逐渐缩小价差。至于，整体去库存的情况，则还需要 2 到 3 季的时间。

根据全球市场研究机构集邦咨询 TrendForce 的最新调查表示，虽然 DRAM 供应商一直试图趁着先前 7 月下旬现货大涨的动能拉抬合约价格。但是，在日韩贸易问题已经有解、相关原料氟化氢供应在即的情况下，涨价的意图未能达成。观察整体交易区间与 7 月份相同，8GB 最高价为 US$26，为 US$25，整体均价落在 US$25.5。至于，8 月份的现货市场，集邦咨询则是指出，几乎每一个交易日都是小幅走跌的态势。但是，由于目前现货商在 7 月份抢货，造成的库存水位大增，在需求迟迟未见的状况下，降价的压力逐渐增大，后续现货价格的跌势将会加快，收敛与合约价的价差。

事实上，集邦咨询之前就表示，在日韩贸易冲突上，因为日本身为原物料供应大国，对南韩的手段是在于“加强审查”，并非极端的“停止供货”的情况下，相关的南韩进口需求，在日本相关单位审查完成，最快甚至不到先前公布的 90 天审核效期，就已经陆续通过部分的申请文件。这使得韩系相关厂上手上的原物料库存在预计用完以前，就可以及时供货到位，所以并不会造成 DRAM 市场供货短缺。