K9F1G08U0M-YCB0服务器ecc芯片

K9F1G08U0M-YCB0服务器ecc芯片主图

K9F1G08U0M-YCB0服务器ecc芯片参数

制造商IC编号K9F1G08U0M-YCB0 SAMS

厂牌SAMSUNG/三星

IC 类别FLASH-NAND

IC代码128MX8 NAND SLC

脚位/封装TSOP

外包装TRAY

无铅/环保含铅

电压(伏)2.7v-3.6v

温度规格0°C to +85°C

速度

标准包装数量

标准外箱

潜在应用

K9F1G08U0M-YCB0服务器ecc芯片相关信息

有关国产闪存技术的发展与突破，相信很多人都在翘首期待，希望我们能够拥有自己的先进闪存产品，而当长江存储成功发展出来3D NAND存储Xtacking架构技术的时候，我们知道，真正的国产存储即将出现了！不负众望的是，就在近日，长江存储发布消息称，容量256Gb，64层堆栈的3D闪存已经成功量产，核心技术就是Xstacking技术！

关于Xtacking技术，相信很多人都不是很了解，其实，如果了解了一下现在芯片的结构，大致上就知道Xtacking技术的牛气之处了，而一般来说，现在的3D NAND是把内存颗粒堆叠到一起，来解决2D或者平面NAND闪存带来的限制。

通俗的解释就是原本的地基是用来盖平房的，但是如果盖成了楼房，空间应用面积就大得多了，所以，在存储上，3D NAND的空间更大，而在3D NAND的发展中，自然也会存在一定的问题，比如存储单元外围电路和存储单元的兼容问题，毕竟数据交换接口I/O速度和存储密度的发展是两个技术产业，双方的结合很关键。

这就导致人们在闪存的设计制造方面，为了兼顾外围电路和存储单元的结合问题，或多或少的会舍弃其中一方的制造性能，即：不能够在外围电路和存储单元上都选择最先进的制造工艺。