三星闪存芯片 SAMSUNG原装

    三星闪存芯片差动输入交叉点电压

    为了保证设置和保持时间以及输出相对于时钟和选通的偏差参数，差分输入的每个交叉点电压信号（CK、CK和DQ、DQ）必须满足下表的要求。

    差分输入交叉点电压vix是从实际真信号和补码信号的交叉点到vdd和vss之间的中间电平。

    三星闪存芯片IDD测量条件

    定义了idd和iddq测量条件，如测试负载和模式。图19显示了idd和IDDQ测量。

    IDD电流（如IDd0、IDd1、IDd2n、IDd2nt、IDd2p0、IDd2p1、IDd2q、IDd3n、IDd3p、IDd4r、IDd4w、IDd5b、IDd6、IDd6et、IDd6tc和IDD7）作为时间平均电流进行测量，并将DDR3 SDRAM的所有VDD球捆绑在一起。任何IDDQ电流不包括在IDD电流。

    IDDQ电流（如IDDq2NT和IDDq4R）是在DDR3 SDRAM的所有VDDQ球都被测试绑定的情况下作为时间平均电流测量的

    一起。IDDQ电流中不包括任何IDD电流。

    注意：IDDQ值不能直接用于计算DDR3 SDRAM的IO功率。它们可用于支持模拟IO的相关性功率到实际IO功率，如图20所示。在dram模块应用中，由于vdd和vddq不能单独测量iddq

    正在模块pcb中使用一个合并的电源层。

    对于IDD和IDDQ测量，以下定义适用：

    “0”和“低”定义为车辆识别号<=VILAC（最大值）。

    “1”和“高”定义为车辆识别号>=VIHAC（最小值）。

    “浮动”定义为输入为vref=vdd/2。

    “用于IDD和IDDQ测量回路模式的定时”见表30

    “基本IDD和IDDQ测量条件”如表31所示

    详细的IDD和IDDQ测量回路模式见第31页表32至表39。

    IDD测量是在正确初始化DDR3 SDRAM之后完成的。这包括但不限于设置

    ron=rzq/7（mr1为34欧姆）；

    Qoff=0B（在MR1中启用输出缓冲区）；

    rtt_nom=rzq/6（mr1中为40欧姆）；

    rtt_wr=rzq/2（120欧姆，mr2）；

    在MR1中禁用TDQ功能

    注意：IDD和IDDQ测量回路模式需要在实际IDD或IDDQ测量开始之前至少执行一次。

    定义d={cs，ras，cas，we}：={high，low，low，low}

    定义d={cs，ras，cas，we}：={high，high，high，high}

    复位稳定时间为：在冷bood复位（初始化）过程中，电源稳定且复位时间低1毫秒后，电流读数有效；

    在热启动复位过程中（操作时），复位低200ns+trfc后，当前读数有效。

    三星闪存芯片实际IO功率

    公司介绍：

    深圳振华航空半导体有限公司是集电子元器件营销和技术开发，技术咨询、信息服务等为一体的高科技企业，有着多年半导体市场营销及推广经验，振华航空集团创建于2004年，公司总部位于香港，在深圳、广州、上海、美国等电子市场设有办事处和分公司。

    公司秉承的一贯宗旨：原厂原装，品质保证，视信誉为生命，以客户为中心，并推行30天无条件退货,不设低采购量限制，不用客户承担任何运费。

    现已成为亚太地区混合型电子元器件（授权或非授权）分销商，先后被国内研究所和国企评为“中国军工行业优质供应商”。

    文化介绍

    振华航空的企业文化为“以人为本、诚信、务实、合作，奉献，创新，超越”。

    价值观

    振华航空以“为员工、客户创造大利益”为核心价值观，求实进取，不断创新，为企业和客户创造价值，为社会创造效益，经过多年不懈努力，形成了我们电子行业的四大优势：

    雄厚的技术实力

    贴心的客户服务

    严格的品质保证

    相比的价格优势

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