nand闪存芯片 海力士原装

    nand闪存芯片 片外驱动器（OCD）阻抗调整

    DDR2 SDRAM支持驱动程序校准功能，下面的流程图是序列的一个示例。

    每个校准模式命令后应紧跟“OCD校准模式退出”，然后再执行任何其他命令正在发布。

    应在进入接触网阻抗调整和ODT（模内安装）前设置MRS应根据系统环境小心控制。

    nand闪存芯片EMRS（2）

    扩展模式寄存器（2）控制刷新相关功能。扩展模式寄存器的默认值（2）未定义，因此必须在通电后写入扩展模式寄存器（2）以确保操作。

    扩展模式寄存器（2）是通过断言/cs，/ras，/cas，/we上的low，ba1上的high来编写的控制地址引脚a0~a12的状态时，ba0低。

    DDR2 SDRAM应该在所有银行在写入扩展模式寄存器（2）之前，在CKE已高的情况下预充电。

    模式寄存器内容在正常运行期间，可以使用相同的命令和时钟周期要求进行更改，只要所有银行都处于预充电状态。

    nand闪存芯片EMRS（2）编程：

    1：ems（2）中的剩余位留作将来使用，当设置初始化期间的模式寄存器。

    2:目前，周期性自刷新间隔在DRAM中硬编码为特定值。EMR（2）位A7是支持更高的自刷新条目。但是，由于此自刷新控制功能是一个选项，将由制造商逐步采用单独地，检查dram部件的功能可用性是必要的。有关更多详细信息，请参阅“工作温度

    “第4章操作条件”中的“条件”部分

    3:在DDR2 DRAM中是可选的。如果启用了pasr（部分数组自刷新），则位于指定范围之外的数组区域中的数据如果输入自刷新，地址范围将丢失。

    如果满足tref条件且没有自刷新命令，则将保持数据完整性发行。如果不支持PASR功能，则在对EMR（2）编程时，必须将EMR（2）[a0-a2]设置为000。

    4:可选的DDR2 SDRAM jedec标准DDR2 SDRAM可以或可能没有实现DCC（占空比校正器），并且在一些实现dcc的drma中，用户可以通过emr（2）[a3]位获得dcc的可控性。

    jedec标准ddr2DRAM用户可以查看制造商的数据表，检查DRAM部件是否支持DCC可控性。如果可选的DCC可控性支持，用户可以通过相应地编程emr（2）[a3]来启用或禁用dcc。如果不支持可控性功能，编程EMR（2）时，EMR（2[A3]必须设置为0。

    公司介绍：

    深圳振华航空半导体有限公司是集电子元器件营销和技术开发，技术咨询、信息服务等为一体的高科技企业，有着多年半导体市场营销及推广经验，振华航空集团创建于2004年，公司总部位于香港，在深圳、广州、上海、美国等电子市场设有办事处和分公司。

    公司秉承的一贯宗旨：原厂原装，品质保证，视信誉为生命，以客户为中心，并推行30天无条件退货,不设低采购量限制，不用客户承担任何运费。

    现已成为亚太地区混合型电子元器件（授权或非授权）分销商，先后被国内研究所和国企评为“中国军工行业优质供应商”。

    文化介绍

    振华航空的企业文化为“以人为本、诚信、务实、合作，奉献，创新，超越”。

    价值观

    振华航空以“为员工、客户创造大利益”为核心价值观，求实进取，不断创新，为企业和客户创造价值，为社会创造效益，经过多年不懈努力，形成了我们电子行业的四大优势：

    雄厚的技术实力

    贴心的客户服务

    严格的品质保证

    相比的价格优势