手机内存芯片H5PS5162FFR-25C 原装现货

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    手机内存芯片通电和初始化

    DDR2 SDRAM必须以预先定义的方式通电和初始化。其他操作程序否则可能导致未定义的操作。

    手机内存芯片加电和初始化顺序

    通电和初始化需要以下顺序。

    1.通电并尝试将CKE保持在0.2*VDDQ和ODT*1以下的低状态(所有其他输入可能未定义。)

    -vdd、vddl和vddq由单个功率转换器输出驱动,并且

    -VTT大限制为0.95 V,以及

    -VREF跟踪VDDQ/2。

    -在VDDL之前或同时应用VDD。

    -在VDDQ之前或同时应用VDDL。

    -在VTT&VREF之前或同时应用VDDQ。

    必须至少满足这两组条件中的一个。

    2启动时钟并保持稳定状态。

    3.稳定电源和时钟(CK、CK)后,至少200 us,然后应用NOP或取消选择并拍摄CKE高。

    4等待至少400ns,然后发出预充电所有命令。在400ns期间应用nop或取消选择期间。

    5发出EMRS(2)命令。(要发出EMRS(2)命令,请将“低”提供给BA0,“高”提供给BA1。)*2

    6发出EMRS(3)命令。(要发出EMRS(3)命令,请向BA0和BA1提供“高”。*2

    7发出emrs以启用dll。(要发出“dll-enable”命令,请将“low”提供给a0,“high”提供给ba0和“低”至BA1。)

    8为“dll reset”发出模式寄存器设置命令。

    (要发出DLL重置命令,请将“高”提供给A8,将“低”提供给BA0-1。)

    9发出预充电所有命令。

    10发出2个或更多自动刷新命令。

    11发出低至A8的模式寄存器设置命令,以初始化设备操作。(即程序运行参数而不重置dll。)

    12步骤8后至少200个时钟,执行OCD校准(片外驱动器阻抗调整)。

    如果不使用OCD校准,EMRS OCD默认命令(A9=A8=A7=1),后跟EMRS OCD校准模式退出命令(A9=A8=A7=0)必须与以下其他操作参数一起发出:

    电子病历。

    13.DDR2 SDRAM现在可以正常运行。

    1)为保证ODT关闭,VREF必须有效,并且必须对ODT引脚应用低电平。

    2)序列5和6可在8和9之间执行。

    手机内存芯片价格参考图

    公司介绍:

    深圳振华航空半导体有限公司是集电子元器件营销和技术开发,技术咨询、信息服务等为一体的高科技企业,有着多年半导体市场营销及推广经验,振华航空集团创建于2004年,公司总部位于香港,在深圳、广州、上海、美国等电子市场设有办事处和分公司。

    公司秉承的一贯宗旨:原厂原装,品质保证,视信誉为生命,以客户为中心,并推行30天无条件退货,不设低采购量限制,不用客户承担任何运费。

    现已成为亚太地区混合型电子元器件(授权或非授权)分销商,先后被国内研究所和国企评为“中国军工行业优质供应商”。

    文化介绍

    振华航空的企业文化为“以人为本、诚信、务实、合作,奉献,创新,超越”。

    价值观

    振华航空以“为员工、客户创造大利益”为核心价值观,求实进取,不断创新,为企业和客户创造价值,为社会创造效益,经过多年不懈努力,形成了我们电子行业的四大优势:

    雄厚的技术实力

    贴心的客户服务

    严格的品质保证

    相比的价格优势


品牌

SK HYNIX/海力士

封装

FBGA

电压(伏)

1.8 V

IC代码

32MX16 DDR2